光刻工藝

光刻是半導體器件制造工藝中的一個重要步驟，利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫器件結構，再通過刻蝕工藝將掩膜上的圖形轉換到襯底上。本公司目前掌握電子束光刻，步進式光刻，接觸式光刻等多種光刻技術。

技術應用

光刻技術主要應用于半導體器件，集成電路制造過程中。

工藝能力

EBL（電子束光刻）：最小CD值50nm,精度可達10%。

Stepper(步進式光刻)：尼康 i7/i10/i12，最小CD值350nm，曝光誤差±0.1um，最大曝光面積6英寸。

接觸、接近式光刻：SUSS MA6/BA6光刻機，最小CD值2um，曝光誤差±0.3um

我們的優勢

根據客戶需求，定制最具性價比光刻方案 精度高，線寬小 襯底尺寸范圍1cm至8英寸 圖形保真度高