正性光刻膠:
是復制到硅片表面的圖形與掩膜版一樣,被紫外光曝光后的區域經歷了一種化學反應,在顯影液中軟化并可溶解在顯影液中。曝光的正性光刻膠區域將在顯影液中除去,而不透明的掩膜版下的沒有被曝光的光刻膠仍留在硅片上。
負性光刻機:
是當曝光后,光刻膠會因交聯而變得不可溶解并會硬化。一旦硬化,交聯的光刻膠就不能在溶劑中被洗掉,因為光刻膠上的圖形與投影掩膜版上的圖形相反。負性光刻膠是最早應用在半導體光刻工藝中的光刻膠。
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